| ZnO纳米线阵列/p-Si异质结的合成及其整流特性 |
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| 引用本文： | 程萍,田永涛,王文闯,徐玉睿,何豪,王新昌,李新建.ZnO纳米线阵列/p-Si异质结的合成及其整流特性[J].郑州大学学报(理学版),2011(3). |
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| 作者姓名： | 程萍 田永涛 王文闯 徐玉睿 何豪 王新昌 李新建 |
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| 作者单位： | 郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目,编号50602040,10574112; 河南省重大科技攻关项目,编号082101510007; 教育部科学技术重点研究项目,编号208048; 河南省教育厅自然科学基金资助项目,编号2007140018 |
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| 摘 要： | 利用化学汽相沉积,在没有催化剂的p-Si衬底上一步合成ZnO纳米线阵列,构成ZnO阵列/p-Si异质结.电流-电压性能测试显示该结构具有较好的整流特性,漏电流较小,4V时约为0.05 mA.异质结理想因子偏高,1.86(0.5~2.25 V)和5.92(在2.25~2.7V),主要原因可能ZnO纳米线阵列底与Si之间存在较高的缺陷密度.提供了一种简单的合成ZnO阵列/p-Si异质结方法,不需要在Si衬底上预先合成ZnO缓冲层和催化剂,同时结构具有较好整流性能,对ZnO器件的设计合成及应用有一定的参考价值.
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| 关 键 词： | ZnO阵列 异质结 CVD法 整流 理想因子 |
Rectifying Behavior of Synthesized ZnO Nanowire Arrays/p-Si Heterojunction |
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| CHENG Ping,TIAN Yong-tao,WANG Wen-chuang,XU Yu-rui,HE Hao,WANG Xin-chang,LI Xin-jian.Rectifying Behavior of Synthesized ZnO Nanowire Arrays/p-Si Heterojunction[J].Journal of Zhengzhou University:Natural Science Edition,2011(3). |
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| Authors: | CHENG Ping TIAN Yong-tao WANG Wen-chuang XU Yu-rui HE Hao WANG Xin-chang LI Xin-jian |
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| Affiliation: | CHENG Ping,TIAN Yong-tao,WANG Wen-chuang,XU Yu-rui,HE Hao,WANG Xin-chang,LI Xin-jian(Key Laboratory of Material Physics Ministry of Education,School of Physics and Engineering,Zhengzhou University,Zhengzhou 450052,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnO nanowire arrays heterojunction CVD method rectification ideal factor |
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