半导体内晶格驰豫效应的计算

为了使理论计算结果更加符合实验数据，应当考虑缺陷半导体内晶格的最近邻乃至次近邻驰豫效应。本文介绍了应用Ｈａｒｒｉｓｏｎ的计算公式计算随杂质和主体原子键长而变化的晶格驰豫效应，并将ＧａＰ等掺杂半导体的计算结果与实验数据及其它理论的计算值作了比较。