Au/AuGeNi/n—GaAs欧姆接触失效机理的研究 |
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引用本文: | 李志国,李静.Au/AuGeNi/n—GaAs欧姆接触失效机理的研究[J].微电子学,1996,26(4):226-229. |
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作者姓名: | 李志国 李静 |
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摘 要: | 对Au/AuGeNi/n-GaAs欧姆接触进行了三种不同的应力试验:(1)高温存储(HTS),(2)常温大电流(HC)。(3)高温适当电流。试验结果表明,三种试验均造成了试验后期欧姆接触电阻增大,最后导致欧姆接触失效,AES分析表明,试验后的样品发生了Ni,Au和GaAs的互扩散。
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关 键 词: | 半导体器件 Ⅲ-Ⅴ族 化合物半导体 欧姆接触 |
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