| PECVD SiC材料刻蚀技术 |
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| 引用本文： | 陈晟,李志宏,张国炳,郭辉,王煜,田大宇.PECVD SiC材料刻蚀技术[J].半导体学报,2006,27(Z1). |
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| 作者姓名： | 陈晟 李志宏 张国炳 郭辉 王煜 田大宇 |
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| 作者单位： | 北京大学微电子研究院,微米/纳米加工技术国家重点实验室,北京,100871 |
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| 摘 要： | 通过对PECVD SiC进行不同条件下的反应离子刻蚀(RIE)和电感耦合反应离子刻蚀(ICP)实验研究,提出了使用SF6和He的混合气体进行RIE刻蚀,并讨论了功率和压强分别对刻蚀速率的影响.进一步研究了SiC中H含量对于RIE刻蚀速率的影响,同时验证ICP刻蚀过程中负载效应的存在.
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| 关 键 词： | PECVD 碳化硅 反应离子刻蚀 电感耦合离子刻蚀 氢含量 功率 |
Etching Characteristics of PECVD SiC |
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| Chen Sheng,Li Zhihong,Zhang Guobing,Guo Hui,Wang Yu,Tian Dayu.Etching Characteristics of PECVD SiC[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(Z1). |
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| Authors: | Chen Sheng Li Zhihong Zhang Guobing Guo Hui Wang Yu Tian Dayu |
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