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| 蓝宝石衬底AlGaN/GaN HFET功率特性 | |
| 引用本文： | 张志国,杨瑞霞,李丽,冯震,王勇,杨克武.蓝宝石衬底AlGaN/GaN HFET功率特性[J].半导体学报,2006,27(7). |
| 作者姓名： | 张志国 杨瑞霞 李丽 冯震 王勇 杨克武 |
| 作者单位： | 1. 河北工业大学信息工程学院,天津,300130;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051 2. 河北工业大学信息工程学院,天津,300130 3. 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051 |
| 基金项目： | 科技部科研项目，国家重点基础研究发展计划(973计划) |
| 摘 要： | 通过台面隔离与注入隔离结合的方法,解决了由于GaN外延材料缓冲层质量差造成的AlGaN/GaN HFET击穿电压低的问题.通过优化的500℃/50s栅退火条件,改善Ni-AlGaN/GaN二极管特性,理想因子和势垒高度分别优化到1.5和0.87eV.通过改进AlGaN/GaN HFET制备工艺,得到提高器件输出功率的优化工艺,采用这一工艺制备的蓝宝石衬底总栅宽为1mm,器件在频率为8GHz时输出功率达到4.57W,功率附加效率为55.1%. |
| 关 键 词： | AlGaN/GaN HFET 隔离 整流特性 退火 输出功率 |
Output Power of an AlGaN/GaN HFET on Sapphire Substrate |
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| Zhang Zhiguo,Yang Ruixia,Li Li,Feng Zhen,Wang Yong,Yang Kewu.Output Power of an AlGaN/GaN HFET on Sapphire Substrate[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(7). | |
| Authors: | Zhang Zhiguo Yang Ruixia Li Li Feng Zhen Wang Yong Yang Kewu |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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