硅基可见光近红外光电子器件

本发明提供一种硅基可见光近红外光电子器件，该器件的一个表面层中掺杂了平均浓度从0．5％原子到1．5％原子不等的硫成分。该表面层与衬底的底层部分构成了一个二极管结。另外，该光电子器件还包括许多个电接点，这些电接点是用来向表面层施加0．1V至15V反向偏压的。通过向表面层施加反向偏压，可以促使其根据所接受到的电磁辐射产生电信号，如光电流。该光电探测器对于250nm-1050nm范围的入射辐射的响应率大于1AW，对于更长的波长如3．5μm以下的波长，其响应率大于0．1A／W。