125毫米硅片的离子注入和快速退火

为了提高集成电路的生产率必须继续采用大面积硅片。本文给出了硅片尺寸对离子注入设备的设计、生产率、掺杂均匀性和注入时硅片温度控制影响的比较结果。采用散射光源的单片退火炉对大直径硅片进行退火比炉子退火具有若干独特的优点。本文还给出了100mm和125mm硅片注入后硅片平整度和薄层电阻均匀性的比较。