| 内耦合型EBCCD的技术研究 |
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| 引用本文： | 戴丽英,刘德林.内耦合型EBCCD的技术研究[J].光电子技术,2010,30(2). |
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| 作者姓名： | 戴丽英 刘德林 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司,第五十五研究所,南京,210016 |
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| 摘 要： | 电子轰击电荷耦合器件(EBCCD)是一种微弱光信号成像器件,由于采用了内耦合的背照电荷耦合器件(CCD)结构,大大提高了该器件的探测灵敏度以及信噪比,使其探测的弱光下限能更低.采用国产面照CCD,成功研制出了具有背照功能的CCD以及能耐电子轰击的EBCCD.简单介绍了这种器件的工作原理、结构特点以及关键研究内容,并列出了实验分析及结果.
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| 关 键 词： | 电子轰击电荷耦合器件 背照电荷耦合器件 内耦合 微弱光 |
Research of the Inner-coupled EBCCD with Vacuum Structure |
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| Dai Liying,Liu Delin.Research of the Inner-coupled EBCCD with Vacuum Structure[J].Optoelectronic Technology,2010,30(2). |
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| Authors: | Dai Liying Liu Delin |
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