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低相位噪声VCO的设计
引用本文:向永波,阎跃鹏,高海飞.低相位噪声VCO的设计[J].半导体技术,2012,37(7):534-537.
作者姓名:向永波  阎跃鹏  高海飞
作者单位:中国科学院 微电子研究所,北京100029;空军工程大学,西安710051;中国科学院 微电子研究所,北京,100029
摘    要:设计了一个用于移动通信中继站的低相位噪声压控振荡器(VCO)。该VCO采用了考皮兹结构,谐振器使用LC器件,放大器件使用双极结型晶体管(BJT)。其频率调动范围为730~840 MHz,压控灵敏度为22 MHz/V,输出功率为10.7 dBm。在800 MHz中心频率处,其实测相位噪声分别为-99.42 dBc/Hz@10 kHz,-116.44 dBc/Hz@100 kHz,-135.06 dBc/Hz@1 MHz。提出了一种采用基极低频滤波的办法消除VCO的杂散频率,整个测试频段内观察不到明显的杂散。阐述了VCO相位噪声的主要来源,给出了低噪声VCO的设计方法。理论计算,仿真结果和实物测试取得了一致的结论,对低噪声VCO的设计提供了一定的参考。

关 键 词:压控振荡器  相位噪声  杂散  变容管  双极结型晶体管

Design of the Low Phase Noise VCO
Xiang Yongbo,Yan Yuepeng,Gao Haifei.Design of the Low Phase Noise VCO[J].Semiconductor Technology,2012,37(7):534-537.
Authors:Xiang Yongbo  Yan Yuepeng  Gao Haifei
Affiliation:1(1.Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China; 2.Air Force Engineering University,Xi’an 710051,China)
Abstract:
Keywords:
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