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SOS型pH-ISFET的研制
引用本文:汪正孝,陈克铭,孙安纳,张智宏,李淑英.SOS型pH-ISFET的研制[J].化学传感器,1988(4).
作者姓名:汪正孝  陈克铭  孙安纳  张智宏  李淑英
作者单位:中科院半导体所,中科院半导体所,中科院半导体所,中科院半导体所,中科院半导体所
摘    要:一、概述离子敏场效应管(简称ISFET)以及在此基础上发展起来的生物敏场效应管(简称生物敏FET)由于具有超小型、高速响应、易实现多功能化和集成化等特点,是当前一类极有前途、富有生命力的器件。一般来说,ISFET都是用普通的硅材料来制作的。近几年来,国际上报道了用新型的“兰宝石上外延硅”(Silicon—On—Sapphire,简称为SOS)材料来制作ISFET。SOS—ISFET与普通的Si—ISFET相比,有如下优点:

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