| SiGe／Si和SGOI材料的Li离子束RBS分析 |
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| 引用本文： | 王广甫,刘超,李建平.SiGe／Si和SGOI材料的Li离子束RBS分析[J].中国材料科技与设备,2006,3(3):61-63. |
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| 作者姓名： | 王广甫 刘超 李建平 |
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| 作者单位： | [1]北京师范大学分析测试中心,北京100875 [2]中国科学院半导体研究所材料中心,北京100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目（60276045） |
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| 摘 要： | SiGe合金薄膜中的Ge含量度分布对材料的禁带宽度和制作器件的性能有十分重要的影响。本文用Li离子束卢瑟福背散射分析法对SiGe／Si和SiGe-OI材料样品进行了分析。与TEM，SEM、Raman等分析结果进行比较表明，Li离子束RBS分析可同时测量SiGe层厚度，Ge含量度其深度分布，Si过渡层和SiO2层厚度，并有较好的测量精度。
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| 关 键 词： | SiGe合金 RBS分析 SGOI |
Li Ion Beam RBS Analysis of SiGe/Si and SGOI |
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| WANG Guang -fu, LIU Chao, Li Jian -ping.Li Ion Beam RBS Analysis of SiGe/Si and SGOI[J].Chinese Materials Science Technology & Equipment,2006,3(3):61-63. |
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| Authors: | WANG Guang -fu LIU Chao Li Jian -ping |
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| Affiliation: | 1. Analytical and Testing Center, Beijing Normal University, Beijing, 100875, China; 2. Institute of Semiconductors, CAS, Beijing, 100083, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiGe alloy RBS Analysis SGOI |
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