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| 用化学汽相淀积钨和石墨快速退火降低接触电阻率 | |
| 引用本文： | 沈兆友,李爱珍,姜国宝,陈健.用化学汽相淀积钨和石墨快速退火降低接触电阻率[J].半导体技术,1988(6). |
| 作者姓名： | 沈兆友 李爱珍 姜国宝 陈健 |
| 作者单位： | 复旦大学 (沈兆友，李爱珍，姜国宝)，复旦大学(陈健) |
| 摘 要： | 本文报道了用选择性低压化学汽相淀积钨和石墨快速退火降低金属与扩散形成的n~+、p~+浅结的接触电阻率.发现硼扩散或磷扩散浓度以及退火温度对接触电阻率都有影响,钨硅之间无明显的相互扩散.采用这种技术,钨与n~+、p~+硅的接触电阻率分别低达(1.5～4)×10~(-7)和(1～3)×10~(-7)Ω·cm~2.但与掺杂浓度较低的掺硼硅的接触电阻率较大. |
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