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| 用离子注入技术制作的砷化镓霍尔传感器 | |
| 引用本文： | 夏先齐,茅保华.用离子注入技术制作的砷化镓霍尔传感器[J].计算机测量与控制,1999,7(1). |
| 作者姓名： | 夏先齐 茅保华 |
| 作者单位： | 南京西格玛微电子研究所,南京,210016 |
| 摘 要： | 针对器件低内阻下的高灵敏度这一器件特性上的难题，在砷化镓霍尔传感器设计中采用非对称十字形结构。在制作上采用全离子注入平面化技术，获得了在８００Ω内阻上大于２５ｍＶ／ｍＡ·ＫＧ的高灵敏度。 |
| 关 键 词： | 霍尔传感器 砷化镓 离子注入 灵敏度 |
Ion Implanted GaAs Hall Sensor |
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