| 无烧结助剂SiC陶瓷的高压烧结研究 |
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| 引用本文： | 谢茂林,罗德礼,鲜晓斌,冷邦义,陈伟,鲁伟员,范辉.无烧结助剂SiC陶瓷的高压烧结研究[J].中国陶瓷,2009,45(1). |
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| 作者姓名： | 谢茂林 罗德礼 鲜晓斌 冷邦义 陈伟 鲁伟员 范辉 |
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| 作者单位： | 谢茂林,罗德礼,鲜晓斌,冷邦义,陈伟,范辉,Xie Maolin,Luo Deli,Xian Xiaobin,Leng Bangyi,Chen Wei,Fan Hui(中国工程物理研究院,绵阳,621900);鲁伟员,Lu Weiyuan(四川艺精超硬材料有限公司,江油,621700)
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| 摘 要： | 以纳米SiC为原料,用两面顶压机在不同工艺条件下(1100-1300℃,4.0-4.5GPa,20-35min)实现了无烧结助剂添加的SiC陶瓷体的烧结.研究了烧结工艺对SiC陶瓷性能的影响.用XRD、SEM、显微硬度测试仪等对SiC高压烧结体进行了表征.结果表明:采用超高压工艺可实现无烧结助剂SiC陶瓷高致密化烧结;烧结体晶粒长大得到抑制,维持在纳米级,晶格常数收缩发生了收缩;烧结体显微硬度和密度随烧结温度、烧结压力、保温时间的升高或延长而提高.在4.5GPa/1250℃/35min的超高压烧结条件下烧结的无烧结助剂SiC致密度达到96%,且显微硬度达到Hv1.96 3850.
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| 关 键 词： | 碳化硅 烧结 超高压 |
ULTRA-HIGH PRESSURE SINTER NANO-SiC CERAMIC |
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| Xie Maolin,Luo Deli,Xian Xiaobin,Leng Bangyi,Chen Wei,Lu Weiyuan,Fan Hui.ULTRA-HIGH PRESSURE SINTER NANO-SiC CERAMIC[J].China Ceramics,2009,45(1). |
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| Authors: | Xie Maolin Luo Deli Xian Xiaobin Leng Bangyi Chen Wei Lu Weiyuan Fan Hui |
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