| 反应射频磁控溅射制备高k氧化锆薄膜及介电性能的研究 |
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| 引用本文： | 马春雨,李智,张庆瑜.反应射频磁控溅射制备高k氧化锆薄膜及介电性能的研究[J].功能材料,2004,35(4):453-456. |
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| 作者姓名： | 马春雨 李智 张庆瑜 |
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| 作者单位： | 大连理工大学,三束材料改性国家重点实验室,辽宁,大连,116024;大连大学,机械工程系,辽宁,大连,116622 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(50240420656) |
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| 摘 要： | 在氧气和氩气的混合气体中,在O2/Ar混和气总流量固定的条件下,通过调节O2/Ar流量比,采用反应RF磁控溅射法制备了具有高介电常数的氧化锆薄膜。通过透射电子显微镜(TEM)和原子力显微镜(AFM)研究了O2/Ar流量比与薄膜微观组织和结构、表面平整度之间的关系,并测试分析了在不同O2/Ar流量比下溅射沉积的Al/ZrO2/SiO2/n型Si叠层结构的C V特性曲线。实验结果表明O2/Ar流量比与薄膜微观组织和结构有一定的关系。纯氧气氛下沉积的ZrO2薄膜基本上为纳米级的微晶,晶体结构为单斜结构(a=5.17、b=5.26、c=5.3、α=γ=90°,β=80.17°),在O2/Ar流量比为1∶4混合气氛下制备出了具有非晶结构的均质ZrO2薄膜;低的O2/Ar流量比下溅射得到的ZrO2薄膜样片,均方根粗糙度较低,表面平整度较好;在O2/Ar流量比为1∶4左右时,ZrO2薄膜的相对介电常数达到25。
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| 关 键 词： | 反应RF磁控溅射法 氧化锆薄膜 表面粗糙度 高介电常数 |
| 文章编号： | 1001-9731(2004)04-0453-04 |
| 修稿时间： | 2003年9月1日 |
Dielectric properties of high-k zirconium oxide films prepared by reactive RF magnetron sputtering method |
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| MA Chun-yu,LI Zhi,ZHANG Qing-yu.Dielectric properties of high-k zirconium oxide films prepared by reactive RF magnetron sputtering method[J].Journal of Functional Materials,2004,35(4):453-456. |
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| Authors: | MA Chun-yu LI Zhi ZHANG Qing-yu |
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| Affiliation: | MA Chun-yu~1,LI Zhi~2,ZHANG Qing-yu~1 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | reactive RF magnetron sputtering zirconium oxide films surface roughness high dielectric constant |
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