| 化学气相渗透制备SiC_w/SiC层状结构陶瓷 |
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| 引用本文： | 成来飞,解玉鹏,梅辉,张立同.化学气相渗透制备SiC_w/SiC层状结构陶瓷[J].科学通报,2015(3):300-308. |
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| 作者姓名： | 成来飞 解玉鹏 梅辉 张立同 |
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| 作者单位： | 西北工业大学材料学院超高温结构复合材料重点实验室 |
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| 摘 要： | 提出了采用流延法(tape casting,TC)结合化学气相渗透法(chemical vapor infiltration,CVI)制备碳化硅晶须(SiCw)/Si C层状结构陶瓷的方法,分析了TC-CVI方法的特点,研究了制备工艺对层状结构陶瓷力学性能和微观结构的影响,探讨了SiCw/Si C层状结构陶瓷的强韧化机理.结果表明,TC-CVI制备方法一方面能够提高晶须体积分数,减少制备过程中对晶须的损伤并且致密化单层,保持整个制备过程中材料体积无收缩,从而有效地提高材料的强度;另一方面,TC-CVI制备方法能够较好地控制层内(晶须/基体)及层间(单层/单层)界面结合强度,进而提高材料的韧性.SiCw/Si C层状结构陶瓷中晶须含量可达40%(体积分数),其弯曲强度、拉伸强度和断裂韧性分别为315 MPa,158 MPa和8.02 MPa m1/2.层状结构陶瓷材料的单层厚度对材料致密性及层间界面结合强度产生显著影响;晶须表面状态对层内界面结合强度有重要作用.SiCw/Si C层状结构陶瓷充分发挥层状结构与晶须协同增韧作用,层间裂纹偏转,层内裂纹偏转、裂纹桥接和晶须拔出等为主要的增韧机制.
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| 关 键 词： | SiCw/SiC层状结构陶瓷 SiC晶须 化学气相渗透 流延法 强韧性 |
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