| TFT-LCD HADS显示模式下黑白Mura机理研究及设计优化 |
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| 引用本文： | 郑箫逸,袁帅,崔晓鹏,林鸿涛,陈维涛,薛海林,邵喜斌.TFT-LCD HADS显示模式下黑白Mura机理研究及设计优化[J].液晶与显示,2019(3):261-266. |
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| 作者姓名： | 郑箫逸 袁帅 崔晓鹏 林鸿涛 陈维涛 薛海林 邵喜斌 |
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| 作者单位： | 北京京东方显示技术有限公司 |
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| 摘 要： | 随着高分辨率TFT-LCD HADS产品的开发,一种与像素ITO图形密切相关、有明暗(黑白)亮度差异、不同视角观察下存在黑白反转现象的Mura不良高发。经过对不良产品的参数测量和模拟分析,确定发生该不良的原因是在邻近区域内,像素开口区内的像素电极ITO(1ITO)图形和公共电极ITO(2ITO)图形发生了不同程度的相对偏移,电场分布存在差异,因此亮度发生明显差异;而且由于图形间的相对偏移导致电极间的电场发生偏移,形成像素左右两侧的一侧为强电场,一侧为弱电场,因而会出现从一侧观察发亮而从另一侧观察发暗、左右视角观察的黑白反转现象。Mura区与相邻OK区1ITO?2ITO对位差异为0.5μm。通过1ITO和2ITO的线宽设计优化,可提高产品对此偏移不均一的容忍度。最终采用最佳1ITO、2ITO线宽条件生产,配合1ITO和2ITO共用设备及TP非线性补正等条件并举,此不良由高发时的14.2%降至0.2%以下。本文研究成果对于高分辨率HADS产品的设计和性能改善,有着重要的指导和参考意义。
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| 关 键 词： | 黑白Mura 对位偏移 氧化铟锡膜 电场 均一 |
Mechanism research and design optimization of black and white Mura in TFT-LCD HADS display mode |
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| ZHENG Xiao-yi,YUAN shuai,CUI Xiao-peng,LIN Hong-tao,CHEN Wei-tao,XUE Hai-lin,SHAO Xi-bin.Mechanism research and design optimization of black and white Mura in TFT-LCD HADS display mode[J].Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays,2019(3):261-266. |
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| Authors: | ZHENG Xiao-yi YUAN shuai CUI Xiao-peng LIN Hong-tao CHEN Wei-tao XUE Hai-lin SHAO Xi-bin |
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| Affiliation: | (Beijing BOE Display Technology Co., Ltd, Beijing 100176, China) |
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| Abstract: | ZHENG Xiao-yi;YUAN shuai;CUI Xiao-peng;LIN Hong-tao;CHEN Wei-tao;XUE Hai-lin;SHAO Xi-bin(Beijing BOE Display Technology Co., Ltd, Beijing 100176, China) |
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| Keywords: | black and white Mura overlay ITO electric field uniformity |
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