BF2^＋注入多晶硅栅的SIMS分析

文本采用ＳＩＭＳ技术，分析了ＢＦ２＾＋注入多晶硅栅退火前后Ｆ原子在多晶硅和ＳｉＯ２中的迁移特性，结果表明，８０ｋｅＶ，２×１０＾１５和５×１０＾１５ｃｍ＾－２ＢＦ２＾＋注入多晶硅栅经过９００℃，ｍｉｎ退火后，部分Ｆ原子已扩散到ＳｉＯ２中，Ｆ在多晶硅和ＳｉＯ２中的迁移行为呈现不规则的特性，这归因于损伤缺陷和键缺陷对Ｆ原子的富集作用。