直流反应溅射α-C:H薄膜 |
| |
引用本文: | 殷志强,侯苏平,史月艳,严樟根.直流反应溅射α-C:H薄膜[J].清华大学学报(自然科学版),1989(1). |
| |
作者姓名: | 殷志强 侯苏平 史月艳 严樟根 |
| |
作者单位: | 无线电电子学系
(殷志强,侯苏平,史月艳),无线电电子学系(严樟根) |
| |
摘 要: | 用直流平面磁控反应溅射制备了含氢非晶态碳膜(α-C:H),在0.35-2.5μm波长范围内确定了它的光学常数n,k与禁带宽度,包括刚沉积(AD)与经真空烘烤450℃40min(HT)的α-C:H膜。红外透射谱、拉曼光谱与电子衍射等分析表明:α-C:H为无定形碳与金刚石共存物。热处理后,C-H与C=O键减少,而C=C键增加。α-C:H作为减反射膜的α-C:H/渐变SS-C/Al选择性吸收表面,具有太阳吸收率α≈0.93(HT).发射率ε≈0.06(80℃)。
|
关 键 词: | 溅射 非晶态 碳 薄膜 |
本文献已被 CNKI 等数据库收录! |
|