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| 用双面研磨机代替平面磨床的减薄工艺 | |
| 引用本文： | 伍烈城.用双面研磨机代替平面磨床的减薄工艺[J].半导体技术,1985(2). |
| 作者姓名： | 伍烈城 |
| 作者单位： | 上海无线电十七厂 |
| 摘 要： | 单晶硅是制造半导体硅器件的重要原始材料.单晶硅有两种缺陷:生长缺陷(即原生缺陷)和二次缺陷(即诱生缺陷).如果仅有完美的晶体而没有完美的加工技术,也达不到预想的目的.在器件生产工艺中往往会引进二次缺陷(如氧化层错、外延层错及位错等),直接影响半导体器件的质量和电性能. |
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