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PIN型快中子剂量探测器的结构研究
引用本文:周春芝,赵建兴,刘虹宇.PIN型快中子剂量探测器的结构研究[J].核电子学与探测技术,2004,24(4):404-406.
作者姓名:周春芝  赵建兴  刘虹宇
作者单位:防化研究院,北京1044信箱203号,102205;防化研究院,北京1044信箱203号,102205;防化研究院,北京1044信箱203号,102205
摘    要:介绍了不同结构比例的PIN宽基硅二极管快中子剂量探测器对^236mPu-Be中子源的剂量响应测试结果。通过对实验结果进行分析,建立了探测器的等效电路模型,得出了探测器的剂量响应与结构比例参数(d/A)近似成线性关系的结论。

关 键 词:宽基硅二极管  快中子  剂量响应  结构比例  等效电路模型
文章编号:0258-0934(2004)04-0404-03
修稿时间:2003年4月28日

Study on structural parameter of PIN fast neutron dose detector
ZHOU Chun-zhi,ZHAO Jian-xing,LIU Hong-yu.Study on structural parameter of PIN fast neutron dose detector[J].Nuclear Electronics & Detection Technology,2004,24(4):404-406.
Authors:ZHOU Chun-zhi  ZHAO Jian-xing  LIU Hong-yu
Abstract:The wide-base silicon diode for fast neutron dose monitoring is studied, and the dose response of the diodes with different structural ratio to ~(239)Pu-Be neutron source was given. Based on the results, equivalent model of circuit was built, and the conclusion was drawn that the neutron dose response varied linearly with the parameter of the structural ratio of the detector.
Keywords:wide-base silicon diode  fast neutron  dose response  ratio of structure  equivalent model of circuit
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