| 通过成结模拟器研究n+-n--p碲镉汞高温探测器 |
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| 引用本文： | 林加木,周松敏,王溪,甘志凯,林春,丁瑞军.通过成结模拟器研究n+-n--p碲镉汞高温探测器[J].红外与毫米波学报,2024,43(1):23-28. |
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| 作者姓名： | 林加木 周松敏 王溪 甘志凯 林春 丁瑞军 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室，上海 200083,中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室，上海 200083 |
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| 基金项目： | （Foundation items）：中国科学院青年创新促进会（2017288）。 |
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| 摘 要： | 第三代红外探测器发展的一个重要方向是高工作温度探测器。对于碲镉汞n-on-p探测器而言，n+-n--p结构以及良好的钝化工艺能够有效的抑制暗电流的产生，从而在高工作温度条件下获得较好的探测器性能。基于自行开发的成结模拟器，对n+-n--p结构地高温器件进行了工艺仿真和器件仿真，获得成结过程的制备参数，并结合抑制表面漏电的组分梯度钝化工艺，将高工作温度下的暗电流抑制至理论极限，研制出可以在更高温度工作下的碲镉汞n-on-p红外焦平面探测器。经测试，中波n-on-p红外焦平面器件在不同工作温度下性能优异，在80 K工作温度下噪声等效温差(NETD)达到了6.1 mK，有效像元率为99.96%；而在150 K工作温度下噪声等效温差(NETD)为11.0 mK，有效像元率为99.50%，达到了同类器件的理论极限。
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| 关 键 词： | 碲镉汞 n+-n--p 高工作温度 红外焦平面 |
| 收稿时间： | 2023/5/2 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2023/11/29 0:00:00 |
Study on HgCdTe detectors with high operating temperature by junction formation simulator |
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| LIN Jia-Mu,ZHOU Song-Min,WANG Xi,GAN Zhi-Kai,LIN Chun and DING Rui-Jun.Study on HgCdTe detectors with high operating temperature by junction formation simulator[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2024,43(1):23-28. |
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| Authors: | LIN Jia-Mu ZHOU Song-Min WANG Xi GAN Zhi-Kai LIN Chun and DING Rui-Jun |
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