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| CMOS/SOD电路的高温工作特性 | |
| 引用本文： | 顾长志,金曾孙,孟强,邹广田,陆剑侠,苏秀娣,许仲德,姚达,王怀荣.CMOS/SOD电路的高温工作特性[J].半导体学报,1997,18(9):688-691. |
| 作者姓名： | 顾长志 金曾孙 孟强 邹广田 陆剑侠 苏秀娣 许仲德 姚达 王怀荣 |
| 作者单位： | 吉林大学超硬材料国家重点实验室 |
| 摘 要： | 采用具有高导热、高绝缘等优异物理性能的金刚石膜作为绝缘理层，利用金刚石膜上的薄层硅（SOD）技术，制作了54HCTO3CMOS／SOD结构的集成电路．对该电路高温下的工作特性进行了研究．结果表明SOD电路在350℃下仍具有正常的逻辑功能，其工作温度明显高于体硅电路。 |
| 关 键 词： | 金刚石膜 CMOS／SOD IC 高温工作特性 |
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