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| 基于热-结构耦合的3D-TSV互连结构的应力应变分析 | |
| 引用本文： | 黄春跃,梁颖,熊国际,李天明,吴松.基于热-结构耦合的3D-TSV互连结构的应力应变分析[J].电子元件与材料,2014(7). |
| 作者姓名： | 黄春跃 梁颖 熊国际 李天明 吴松 |
| 作者单位： | 1. 桂林电子科技大学 机电工程学院,广西 桂林,541004 2. 成都航空职业技术学院 电子工程系,四川 成都,610021 3. 桂林航天工业学院 汽车与动力工程系,广西 桂林,541004 |
| 基金项目： | 广西壮族自治区自然科学基金资助项目(No.2012GXNSFAA053234;2013GXNSFAA019322)；四川省教育厅科研资助项目 |
| 摘 要： | 建立了3D-TSV(硅通孔)互连结构三维有限元分析模型,对该模型进行了热-结构耦合条件下的应力应变有限元分析,研究了TSV高度和直径对3D-TSV互连结构温度场分布及应力应变的影响。结果表明:随着TSV高度和直径的增大,3D-TSV叠层芯片封装整体、焊球、间隔层、芯片和TSV及微凸点处的最高温度均逐渐降低,TSV高度和直径的增加在一定程度上有利于降低封装体各部分最高温度;随着TSV高度的增加,TSV及微凸点互连结构内的应力应变呈增大趋势。 |
| 关 键 词： | 三维叠层芯片封装 硅通孔 热-结构耦合分析 温度场 有限元分析 应力应变 |
Study on stress and strain of 3D-TSV stacked IC packages based on thermal-structure coupling |
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| HUANG Chunyue,LIANG Ying,XIONG Guoji,LI Tianming,WU Song.Study on stress and strain of 3D-TSV stacked IC packages based on thermal-structure coupling[J].Electronic Components & Materials,2014(7). | |
| Authors: | HUANG Chunyue LIANG Ying XIONG Guoji LI Tianming WU Song |
| Abstract: | |
| Keywords: | 3D stacked IC package through silicon via thermal-structure coupling analysis temperature field finite element analysis stress and strain |
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