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| 用背散射技术分析核靶的污染 | |
| 引用本文： | 许国基,赵玉华,郑胜男,徐永昌.用背散射技术分析核靶的污染[J].核技术,1983(2). |
| 作者姓名： | 许国基 赵玉华 郑胜男 徐永昌 |
| 作者单位： | 中国科学院原子能研究所 (许国基，赵玉华，郑胜男)，中国科学院原子能研究所(徐永昌) |
| 摘 要： | 在使用真空蒸发和电镀两种方法制备核靶的过程中,基衬、脱膜剂和坩埚等都会给核靶带来污染。用合适的方法分析核靶的污染,从而改进制备工艺,是制靶技术迫切需要解决的问题。我们用背散射技术分析了核靶中的杂质,使用2MeV的~4He~ 离子束,散射角为160°和135°,探测系统的能量分辨率为16keV。 |
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