| AlInGaN量子阱垒层材料的优化 |
| |
| 引用本文： | 文锋,刘德明,黄黎蓉.AlInGaN量子阱垒层材料的优化[J].半导体学报,2007,28(6). |
| |
| 作者姓名： | 文锋 刘德明 黄黎蓉 |
| |
| 作者单位： | 1. 华中科技大学光电子科学与工程学院,武汉,430074
2. 华中科技大学武汉光电国家实验室,武汉,430074 |
| |
| 基金项目： | 湖北省武汉市科技攻关项目 |
| |
| 摘 要： | 采用k·p方法理论,考虑了极化电场和自由载流子重新分布等因素,通过薛定谔方程和泊松方程自洽求解得到InGaN/AlInGaN,InGaN/GaN,InGaN/InGaN,InGaN/AlGaN量子阱导带和价带的能带结构,并由此计算了不同量子阱结构的自发发射谱.分析对比发现AlInGaN材料特有的自发极化和压电极化效应在阱垒界面处形成的极化电荷对量子阱发光特性有重要的影响.以AlInGaN为垒,优化其中各元素的组分可以减小极化电场的影响,提高量子阱自发发射谱强度.同时,综合考虑了极化电荷和势垒高度的影响,提出了具体的优化方法,并给予了物理解释.
|
| 关 键 词： | AlInGaN 极化电场 自发发射谱 垒材料 |
Research on Optimizing Barrier Material for AlInGaN Quantum Wells |
| |
| Wen Feng,Liu Deming,Huang Lirong.Research on Optimizing Barrier Material for AlInGaN Quantum Wells[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(6). |
| |
| Authors: | Wen Feng Liu Deming Huang Lirong |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
