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倒装GaN基发光二极管阵列微透镜的粗化技术
引用本文:刘志强,王良臣,伊晓燕,王立彬,陈宇,郭德博,马龙.倒装GaN基发光二极管阵列微透镜的粗化技术[J].半导体学报,2007,28(Z1).
作者姓名:刘志强  王良臣  伊晓燕  王立彬  陈宇  郭德博  马龙
作者单位:中国科学院半导体研究所,集成技术中心,北京,100083
摘    要:通过模拟计算,分析了阵列微透镜粗化对倒装结构GaN基LED提取效率的影响.并采用感应耦合等离子(ICP)干法刻蚀技术在蓝宝石表面制备阵列微透镜,实现倒装结构GaN基LED出光面粗化.测试结果表明,相对于普通倒装结构,阵列微透镜表面粗化可以使LED提取效率提高约50%,测试结果与模拟计算值相符合.

关 键 词:GaN基LED  ICP  阵列微透镜  粗化

Surface Roughening with Sapphire Microlens Arrays in Flip-Chip GaN-Based LEDs
Liu Zhiqiang,Wang Liangchen,Yi Xiaoyan,Wang Libin,Chen Yu,Guo Debo,Ma Long.Surface Roughening with Sapphire Microlens Arrays in Flip-Chip GaN-Based LEDs[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(Z1).
Authors:Liu Zhiqiang  Wang Liangchen  Yi Xiaoyan  Wang Libin  Chen Yu  Guo Debo  Ma Long
Abstract:
Keywords:
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