| 采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善(0001)GaN表面形貌 |
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| 引用本文： | 钟飞,邱凯,李新化,尹志军,姬长建,韩奇峰,曹先存,陈家荣,段铖宏,周秀菊,王玉琦.采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善(0001)GaN表面形貌[J].半导体学报,2007,28(8). |
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| 作者姓名： | 钟飞 邱凯 李新化 尹志军 姬长建 韩奇峰 曹先存 陈家荣 段铖宏 周秀菊 王玉琦 |
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| 作者单位： | 中国科学院固体物理研究所,材料物理实验室,合肥,230031 |
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| 摘 要： | 使用分子束外延方法,采用In束流保护下的调制中断生长技术,在(0001)蓝宝石衬底上生长GaN薄膜.利用反射式高能电子衍射(RHEED)对生长进行实时监控,并用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)法对GaN外延薄膜的表面形貌和晶体质量进行分析.实验结果表明:采用该技术生长的Ga极性GaN外延薄膜中的晶体表面残留Ga滴密度大大降低,GaN外延薄膜的表面形貌得到改善,其均方根粗糙度(RMS)由3nm降低为0.6nm,同时XRD双晶摇摆曲线测试的结果表明,GaN外延层的晶格质量也得到改善.
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| 关 键 词： | 调制中断 表面形貌 GaN薄膜 |
Improvement of Surface Morphology of RF MBE Grown(0001)GaN via In-Protected Growth Interruption Modulation |
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| Zhong Fei,Qiu Kai,Li Xinhua,Yin Zhijun,Ji Changjian,Han Qifeng,Cao Xiancun,Chen Jiarong,Duan Chenghong,Zhou Xiuju,Wang Yuqi.Improvement of Surface Morphology of RF MBE Grown(0001)GaN via In-Protected Growth Interruption Modulation[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(8). |
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| Authors: | Zhong Fei Qiu Kai Li Xinhua Yin Zhijun Ji Changjian Han Qifeng Cao Xiancun Chen Jiarong Duan Chenghong Zhou Xiuju Wang Yuqi |
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| Keywords: | |
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