| 硅基微纳光子器件制备工艺问题及解决方案 |
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| 引用本文： | 陈少武,屠晓光,余和军,樊中朝,徐学俊,余金中.硅基微纳光子器件制备工艺问题及解决方案[J].半导体学报,2007,28(Z1). |
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| 作者姓名： | 陈少武 屠晓光 余和军 樊中朝 徐学俊 余金中 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083 |
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| 摘 要： | 讨论了硅基微纳光子器件制备过程中涉及的几个关键工艺问题,包括:电子束/光学光刻的电子束/光学邻近效应;纳米线光波导ICP-RIE刻蚀的侧壁粗糙问题;光栅及MOS绝缘栅氧化硅填充致密度问题.这些问题可影响器件的结构均匀性、波导传输损耗、光栅的散射损耗以及MOS绝缘栅的绝缘性能.在分析实验结果的基础上,提出了一些解决方案.
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| 关 键 词： | 硅基微纳光子器件 电子束/光学邻近效应 ICP-RIE刻蚀 光波导侧壁粗糙度 CVD |
Challenges and Solution of Fabrication Techniques for Silicon-Based Nano-Photonics Devices |
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| Chen Shaowu,Tu Xiaoguang,Yu Hejun,Fan Zhongchao,Xu Xuejun,Yu Jinzhong.Challenges and Solution of Fabrication Techniques for Silicon-Based Nano-Photonics Devices[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(Z1). |
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| Authors: | Chen Shaowu Tu Xiaoguang Yu Hejun Fan Zhongchao Xu Xuejun Yu Jinzhong |
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