| 基于势阱近似的小尺寸MOSFETs反型层解析模型 |
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| 引用本文： | 徐火希,兰志高,罗春娅.基于势阱近似的小尺寸MOSFETs反型层解析模型[J].固体电子学研究与进展,2015(2):124-128. |
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| 作者姓名： | 徐火希 兰志高 罗春娅 |
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| 作者单位： | 黄冈师范学院电子信息系;华中科技大学光电学院 |
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| 基金项目： | 湖北省自然科学基金资助项目(2011CDB165);黄冈师范学院科学研究基金资助项目(2012028803) |
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| 摘 要： | 将垂直于栅氧化层/衬底界面方向的反型层电势分布规律近似为耗尽层的电势分布规律,采用WKB近似方法求解薛定谔方程,得到了量子机制下分析MOSFETs反型层的解析模型,进而对Al/SiO2/p-Si MOSFETs能级、子带电子密度和反型层质心进行了模拟计算,并将模拟结果与数值自洽结果进行了比较,模拟结果较好地与数值自洽结果相吻合。
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| 关 键 词： | 金属-氧化物-半导体场效应晶体管 反型层 量子效应 温策尔-克雷默-布里渊方法 解析模型 |
An Analytical Model for Small Size MOSFETs Inversion Layer Using Potential Well Approximation |
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| XU Huoxi;LAN Zhigao;LUO Chunya.An Analytical Model for Small Size MOSFETs Inversion Layer Using Potential Well Approximation[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2015(2):124-128. |
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| Authors: | XU Huoxi;LAN Zhigao;LUO Chunya |
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| Affiliation: | XU Huoxi;LAN Zhigao;LUO Chunya;Department of Electronic Information,Huanggang Normal University;Department of Optics & Electronics,Huazhong University of Science and Technology; |
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