| 22nm光刻技术前景(英文) |
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| 作者姓名： | Stefan Wurm |
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| 作者单位： | Sematech,Albany,NY USA |
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| 基金项目： | Acknowledgments The author would like to acknowledge his colleagues in Sematech＇s lithography division and at GlobalFoundries, Intel, and Samsung for valuable discussions. |
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| 摘 要： | 在国际半导体技术蓝图(ITRS)指定的22nm节点中1],该产业将在两种竞争的光刻解决方案中进行选择,这将取决于其产品的发展路线图。在某些情况下,业界甚至可能会同时使用两种方案。这两种竞争方案就是极紫外光刻技术(EUVL)和32nm节点由193nm浸没式双重图形光刻(DPL)扩展到多图形的光刻技术。讨论了两种技术,比较了两种技术所需的关键解决方案的现状,以及存在的挑战。
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| 关 键 词： | 22nm节点 解决方案 极紫外光刻 双重图形光刻 多图形光刻 |
Lithography Perspective for the 22 am Half-pitch |
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| Stefan Wurm.Lithography Perspective for the 22 am Half-pitch[J].Equipment for Electronic Products Marufacturing,2010,39(2):1-5. |
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| Authors: | Stefan Wurm |
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| Affiliation: | Sematech,Albany,NY USA |
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