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Au/AuGeNi/n—GaAs欧姆接触失效机理的研究
引用本文:李志国,李静.Au/AuGeNi/n—GaAs欧姆接触失效机理的研究[J].半导体杂志,1995,20(4):21-24.
作者姓名:李志国  李静
摘    要:本文对Au/AuGeNi/n-GaAs欧姆接触进行了三种不同的应力试验:(1)高温存储(HTS),(2)常温大电流(HC),(3)高温适当电流。试验结果表明,三种试验均造成了实验后期欧姆接触电阻增大,最后导致欧姆接触失效。AES分析表明,试验后的样品发生了Ni,Au和GaAs的互扩散。

关 键 词:欧姆接触  失效机理  半导体器件
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