| BIT/PLZT/BIT多层铁电薄膜的I-V特性研究 |
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| 引用本文： | 易图林,张颖,谢艳丁.BIT/PLZT/BIT多层铁电薄膜的I-V特性研究[J].空军雷达学院学报,2006,20(4):279-281,284. |
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| 作者姓名： | 易图林 张颖 谢艳丁 |
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| 作者单位： | 空军雷达学院基础部,武汉,430019 |
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| 摘 要： | 为了有效阻止锆钛酸铅镧（PLZT）与半导体界面发生反应和互扩散，根据锆钛酸铅镧和钛酸铋（BIT）各自的铁电性能，采用脉冲准分子激光淀积（PLD）方法制备了BIT／PLZT／BIT多层结构铁电薄膜，测量和分析了它的I-V特性曲线．结果表明，这种结构吸收了锆钛酸铅镧和钛酸铋的优点，提高了铁电薄膜的铁电性能，为进一步研究薄膜的存储特性提供了基础．
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| 关 键 词： | BIT/PLZT/BIT多层铁电薄膜 铁电性能 电流-电压特性 脉冲准分子激光沉积 |
| 文章编号： | CN42-1564（2006）04-0279-03 |
| 收稿时间： | 06 13 2006 12:00AM |
| 修稿时间： | 2006-06-132006-08-21 |
I-V Characteristics of BIT/PLZT/BIT Multilayer Ferroelectric Films |
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| YI Tu-lin,ZHANG Ying,XIE Yan-ding.I-V Characteristics of BIT/PLZT/BIT Multilayer Ferroelectric Films[J].Journal of Air Force Radar Academy,2006,20(4):279-281,284. |
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| Authors: | YI Tu-lin ZHANG Ying XIE Yan-ding |
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| Affiliation: | Department of the Basics, AFRA, Wuhan 430019, China |
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