| 集成电路用钽溅射靶材制备工艺研究 |
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| 引用本文： | 宜楠,权振兴,赵鸿磊,武宇.集成电路用钽溅射靶材制备工艺研究[J].材料开发与应用,2016(3):71-75. |
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| 作者姓名： | 宜楠 权振兴 赵鸿磊 武宇 |
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| 作者单位： | 西安诺博尔稀贵金属材料有限公司,陕西 西安,710201 |
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| 基金项目： | 西安市2011年企业技术创新计划项目 |
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| 摘 要： | 金属钽可作为集成电路中铜与硅基板的阻隔层材料,以防止铜与硅扩散生成铜硅合金影响电路性能。采用钽靶材通过物理气相沉积技术溅射钽到硅片上。靶材晶粒尺寸与织构取向影响溅射速率及溅射薄膜均匀性,要求钽靶材晶粒尺寸应小于100μm,在靶材整个厚度范围内应主要是(111)型织构。同时,为了避免薄膜存在杂质颗粒,要求钽靶材纯度不小于99.99%。本文对钽靶材电子束熔炼、锻造、轧制、热处理等关键工艺进行了系统研究,找到了一种有别于常规钽靶材生产工艺的新方法,所生产产品化学纯度、晶粒尺寸、织构等性能优良,产品成品率高,适于批量化生产。
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| 关 键 词： | 钽 溅射靶材 晶粒尺寸 织构 电子束熔炼 锻造 轧制 热处理 |
Research on Processing of Tantalum Target for Sputtering to LSIS |
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| YI Nan,QUAN Zhenxing,ZHAO Honglei,WU Yu.Research on Processing of Tantalum Target for Sputtering to LSIS[J].Development and Application of Materials,2016(3):71-75. |
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| Authors: | YI Nan QUAN Zhenxing ZHAO Honglei WU Yu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | tantalum sputtering target grain size texture electron-beam smelting forging rolling heat treatment |
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