| 生长温度对Ga_xIn_(1-x)P材料无序度的影响及其应用 |
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| 引用本文： | 常晓阳,尧舜,杨翠柏,张杨,陈丙振,张小宾,张奇灵,王智勇.生长温度对Ga_xIn_(1-x)P材料无序度的影响及其应用[J].材料科学与工程学报,2016(5):694-697. |
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| 作者姓名： | 常晓阳 尧舜 杨翠柏 张杨 陈丙振 张小宾 张奇灵 王智勇 |
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| 作者单位： | 1. 北京工业大学激光工程研究院,北京,100124;2. 瑞德兴阳新能源技术有限公司,广东中山,528437;3. 北京工业大学激光工程研究院,北京100124;瑞德兴阳新能源技术有限公司,广东中山528437 |
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| 基金项目： | 科技强企支撑计划资助项目(2013A3FC0192)，2013中山市战略性新兴产业资助项目(ZSEI-2013468008) |
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| 摘 要： | 采用金属有机化合物气相外延技术(MOCVD),在Ge衬底上生长Ga_xIn_(1-x)P外延层,探究不同生长温度对Ga_xIn_(1-x)P材料的无序生长特性的影响。为探究无序度随温度的变化规律,使用X射线衍射仪(XRD)与光致发光测试仪(PL)对外延材料进行测试,并修正由Ga_xIn_(1-x)P材料组分改变引起的带隙偏移。最终根据实验现象,对实际生产中的GaInP/GaInAs/Ge三结太阳能电池进行调试,通过提高Ga_xIn_(1-x)P材料的无序度,电池的Voc提高了34mV,转换效率提升0.5%。
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| 关 键 词： | GaxIn1-xP 无序度 生长温度 太阳能电池 |
Effect of Growth Temperature on Disordering of GaxIn1-xP Material and Application |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaxIn1-xP disordering growth temperature solar cells |
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