| GaAs/GaAlAs多量子阱自电光效应光学双稳态 |
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| 引用本文： | 吴荣汉,段海龙,王启明,曾一平,孔梅影,潘钟,张权生,林世鸣.GaAs/GaAlAs多量子阱自电光效应光学双稳态[J].半导体学报,1991,12(2):120-124. |
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| 作者姓名： | 吴荣汉 段海龙 王启明 曾一平 孔梅影 潘钟 张权生 林世鸣 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 北京100083
(吴荣汉，段海龙，王启明，曾一平，孔梅影，潘钟，张权生)，中国科学院半导体研究所 北京100083(林世鸣) |
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| 摘 要： | 采用国产分子束外延系统生长的GaAs/GaAlAs多量子阱材料,成功地制备出室温自电光效应(Self Electrooptic Effect)光学双稳态器件(SEED).报道了这种器件在对称工作(S-SEED)和非对称工作时的光学双稳态特性.
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| 关 键 词： | 半导体材料 量子阱 光电效应 |
Optical Bistability ia a GaAs/GaAlAs Multi-Quantum Well (MQW) Self-Electrooptic Effect Device (SEED) |
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| Abstract: | Based on a GaAs/GaAlAs MQW pin structure grown by a home made MBE system,wehave successfully fabricated SEED.The optical bistability and related properties of the deviceunder symmetric operation (S-SEED) and asymmetric operation are reported. |
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| Keywords: | MQW Self electrooptic effect Optical bistability |
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