酸性环境下GaN晶圆的化学机械抛光工艺研究 |
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作者单位: | 上海理工大学材料科学与工程学院,上海200093;镓特半导体科技(上海)有限公司,上海201306;镓特半导体科技(上海)有限公司,上海201306;上海理工大学材料科学与工程学院,上海200093 |
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基金项目: | 英寸自支撑N型GaN晶圆片技术开发及产业化 |
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摘 要: | 本文详细研究了4英寸自支撑GaN晶圆的化学机械抛光(CMP)工艺。使用硅溶胶抛光液,以NaClO为氧化剂,详细研究了不同工艺参数,包括压力、抛光盘转速、抛光液流量、NaClO浓度和抛光液p H值对GaN CMP工艺的材料去除率(MRR)和表面粗糙度(Sa)的影响。研究发现,无论是影响化学作用的因素,还是影响机械作用的因素,都对MRR有着极大的影响。在优化的工艺条件下(压力为50 k Pa、抛光头转速为60 rpm、抛光盘转速为100 rpm、流量为40 mL/min、抛光液p H为4.0、氧化剂浓度为3 vol.%),最大材料去除率为1.07μm/h。在10μm×10μm的区域内,抛光后的平均表面粗糙度为0.109 nm。
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关 键 词: | GaN NaClO 化学机械抛光 工艺参数 材料去除率 平均粗糙废 |
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