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单纵模耦合腔半导体激光器
引用本文:刘弘度,林祥芝,鲍学军.单纵模耦合腔半导体激光器[J].光通信技术,1987(1).
作者姓名:刘弘度  林祥芝  鲍学军
作者单位:北京大学物理系,北京大学物理系,北京大学物理系 1986年北京大学物理系本科毕业生。
摘    要:八十年代,高数据速率长距离光纤传输和相干光通信的发展,推动了单频半导体激光器的研究,主要的研究工作有分布反馈(DFB)式激光器、解理耦合腔(C~3)激光器和外腔式激光器。连续工作条件下,DFB激光器的线宽光功率乘积约为30MHz·mW,线宽最窄已达4MHz;C~3激光器的线宽功率乘积为2.5~3MHz·mW,10mW

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