| HMDSO/H2等离子体化学气相沉积非晶包覆纳米α-SiC薄膜的实验研究 |
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| 引用本文： | 颜官超,丁斯晔,朱晓东,周海洋,温晓辉,丁芳.HMDSO/H2等离子体化学气相沉积非晶包覆纳米α-SiC薄膜的实验研究[J].真空科学与技术学报,2006,26(4):326-329. |
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| 作者姓名： | 颜官超 丁斯晔 朱晓东 周海洋 温晓辉 丁芳 |
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| 作者单位： | 中国科学院基础等离子体物理重点实验室,中国科学技术大学近代物理系,合肥,230026 |
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| 摘 要： | 本文利用六甲基二硅氧烷（HMDSO）作为先驱物质、氢气为稀释气体，进行了等离子体化学气相沉积碳硅薄膜的实验研究。运用X射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微镜和X射线光电子能谱对薄膜的成份和结构进行了分析。结果表明，在生长温度为750℃的条件下成功地得到了纳米α-SiC沉积，碳化硅晶粒被包覆在非晶的SiOxCy：H成分中。薄膜由椭球状的颗粒组成，且随着HMDSO比例的增加，薄膜的结晶度和表面均匀性都得到改善。高流量氢气和HMDSO单体的使用被认为有效地促进了α-SiC晶体的形成。
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| 关 键 词： | α-SiC 纳米 |
| 文章编号： | 1672-7126（2006）04-0326-04 |
| 收稿时间： | 2005-12-02 |
| 修稿时间： | 2005年12月2日 |
Synthesis of Nanostructured SiC Films by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition with Hydrogen Diluted Hexalmethyldisiloxane as Precursor |
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| Yan Guanchao,Ding Siye,Zhu Xiaodong,Zhou Haiyang,Wen Xiaohui,Ding Fang.Synthesis of Nanostructured SiC Films by Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition with Hydrogen Diluted Hexalmethyldisiloxane as Precursor[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2006,26(4):326-329. |
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| Authors: | Yan Guanchao Ding Siye Zhu Xiaodong Zhou Haiyang Wen Xiaohui Ding Fang |
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| Affiliation: | CAS Key Laboratory of Basic Plasma Physics, Department of Modem Physics, University of Science and Technology of China, Hefei, 230026, China |
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| Keywords: | HMDSO |
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