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| 高均匀性1×4多模干涉耦合器的研究与设计 | |
| 引用本文： | 李赵一,范作文,丛庆宇,周敬杰,曾宪峰,郑少南,董渊,胡挺,钟其泽,贾连希.高均匀性1×4多模干涉耦合器的研究与设计[J].光通信研究,2023(3):53-59. |
| 作者姓名： | 李赵一 范作文 丛庆宇 周敬杰 曾宪峰 郑少南 董渊 胡挺 钟其泽 贾连希 |
| 作者单位： | 1. 上海大学微电子学院;2. 中科院上海微系统与信息技术研究所 |
| 基金项目： | 国家重点研发计划资助项目(2018YFB2200503)； |
| 摘 要： | 针对多输出端口输出光功率的不均匀性问题，文章设计了一种基于绝缘体上硅(SOI)的1×4多模干涉(MMI)耦合器，提出了一种优化其均匀性的新方法。耦合器输入/输出端采用锥形波导，为提升MMI耦合器的均匀性，对输出端锥形波导采用不等宽设计，通过优化，四路输出端口均匀性高达0.007 4 dB,而总的插损仅有0.058 dB。依据该方法最终使得输出端波导的传输常数失配，避免了波导之间的串扰，实现了对MMI耦合器输出端口均匀性的提升。 |
| 关 键 词： | 硅光子学 多模干涉耦合器 均匀性 损耗 |
