| 非均匀沟道DMOS器件阈值电压模型 |
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| 引用本文： | 李泽宏,张波,李肇基.非均匀沟道DMOS器件阈值电压模型[J].微电子学,2005,35(1):51-55. |
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| 作者姓名： | 李泽宏 张波 李肇基 |
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| 作者单位： | 电子科技大学,IC设计中心,四川,成都,610054 |
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| 摘 要： | 提出了DMOS器件的二维电荷阈值电压模型。基于沟道区杂质的二维分布,求解泊松方 程,得到沟道区中耗尽电荷总量,给出DMOS二维阈值电压模型的解析式。该模型的解析解与实验 结果和数值解相吻合。并对DMOS的短沟效应和阈值电压与沟道表面扩散浓度、沟道结深和沟道 长度等参数的关系进行了深入分析,给出了短沟DMOS器件阈值电压的解析式。文中还给出了沟 道表面掺杂浓度在2.0×1016cm-3到10.0×1016cm-3范围内DMOS器件的阈值电压简明计算式。该 模型解决了习用的DMOS器件阈值电压模型解析值比实验结果大100％以上的问题。
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| 关 键 词： | DMOS 二维阈值电压模型 准漏结 短沟效应 |
| 文章编号： | 1004-3365(2005)01-0051-05 |
Threshold Voltage Model of Non-Uniform Channel DMOS Devices |
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| LI Ze-hong,ZHANG Bo,LI Zhao-ji.Threshold Voltage Model of Non-Uniform Channel DMOS Devices[J].Microelectronics,2005,35(1):51-55. |
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| Authors: | LI Ze-hong ZHANG Bo LI Zhao-ji |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | DMOS (Double-Diffusion MOSFET) 2-D threshold voltage model Quasi-drain junction Short channel effect |
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