| 硅衬底键合砷化镓薄膜的力学仿真分析 |
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| 引用本文： | 薛慧,石云波,郭浩,唐军,刘俊,丁宇凯.硅衬底键合砷化镓薄膜的力学仿真分析[J].传感器与微系统,2013,32(6):53-55,59. |
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| 作者姓名： | 薛慧 石云波 郭浩 唐军 刘俊 丁宇凯 |
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| 作者单位： | 中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,山西太原030051;中北大学电子测试技术重点实验室,山西太原030051 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 采用介质键合技术制备的Si基GaAs材料衬底,缺陷密度小。对待键合的器件结构电学性能影响小。对采用目前常见的介质材料制备的Si基GaAs材料的力学性能进行了仿真分析,得到用于制备MEMS衬底的最佳介质键合层是SiO2,其衬底材料应力转换率高、量程大、位移小、制备工艺简单且为亲水性,制备的Si基GaAs衬底键合强度大,机械特性好。同时,对不同厚度的介质层材料对Si基GaAs材料的力学性能影响进行了研究分析,得到介质厚度越厚,其应力转换率越高,衬底材料的力敏效应就会越好。
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| 关 键 词： | Si基异质外延GaAs材料 键合 应力转换率 力电耦合效应 |
Mechanical simulation analysis on Si substrate bonding GaAs film |
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| XUE Hui
,
SHI Yun-bo
,
GUO Hao
,
TANG Jun
,
LIU Jun
,
DING Yu-kai.Mechanical simulation analysis on Si substrate bonding GaAs film[J].Transducer and Microsystem Technology,2013,32(6):53-55,59. |
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| Authors: | XUE Hui SHI Yun-bo GUO Hao TANG Jun LIU Jun DING Yu-kai |
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| Affiliation: | 1,2(1.Key Laboratory of Instrumentation Science & Dynamic Measurement,Ministry of Education,North University of China,Taiyuan 030051,China;2.Science and Technology on Electronic Test & Measurement Laboratory,North University of China,Taiyuan 030051,China) |
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| Abstract: | |
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