| In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP DH化学腐蚀腔面激光器 |
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| 引用本文： | 段树坤,石忠诚,李静然,吕卉,王丽明,孙富荣.In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP DH化学腐蚀腔面激光器[J].半导体学报,1983,4(3):291-294. |
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| 作者姓名： | 段树坤 石忠诚 李静然 吕卉 王丽明 孙富荣 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所
(段树坤，石忠诚，李静然，吕卉，王丽明)，中国科学院半导体研究所(孙富荣) |
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| 摘 要： | 用两相液相外延法生长 In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP DH外延片,以 AZ1350i胶模掩蔽,在(001)DH片上,用Br_2:HBr:H_2O=1:25:50作腐蚀剂,沿<110>方向刻槽,研制成两种发射波长为1.35μm In_(1-x)Ga_xAs_yP_(1-y)/InP化学腐蚀腔面激光器.单面化学腐蚀腔面激光器的阈电流密度与常规解理腔面器件相比,未见增高.而双面化学腐蚀腔面激光器则有较高的阈电流密度.
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