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InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管技术研究
引用本文:蔡道民,李献杰,赵永林,刘跳,林涛,江李,马晓宇.InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管技术研究[J].半导体学报,2007,28(Z1):391-393.
作者姓名:蔡道民  李献杰  赵永林  刘跳  林涛  江李  马晓宇
作者单位:蔡道民(中国电子科技集团公司第13研究所,石家庄,050051);李献杰(中国电子科技集团公司第13研究所,石家庄,050051);赵永林(中国电子科技集团公司第13研究所,石家庄,050051);刘跳(中国电子科技集团公司第13研究所,石家庄,050051);林涛(中国科学院半导体研究所,北京,100083);江李(中国科学院半导体研究所,北京,100083);马晓宇(中国科学院半导体研究所,北京,100083)
基金项目:国家高技术研究发展计划(863计划) , 国家重点基础研究发展计划(973计划)
摘    要:介绍了InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT)材料生长、器件结构与设计、制作工艺和性能测试以及在振荡器中的应用等方面的研究.采用发射极-基极自对准工艺制作了InP/InGaAs/InP DHBT器件,发射极尺寸为1.5μm×10μm的器件小电流直流增益β约25,集电极-发射极击穿电压BVCEO≥10V,截止频率,ft和最高振荡频率,fmax分别为50和55GHz;

关 键 词:InP  双异质结晶体管  自对准
文章编号:0253-4177(2007)S0-0391-03
修稿时间:2006年11月30

Investigation of InP/InGaAs/InP Double Heterojunction Bipolar Transistor
Cai Daomin,Li Xianjie,Zhao Yonglin,Liu Tiao,Lin Tao,Jiang Li,Ma Xiaoyu.Investigation of InP/InGaAs/InP Double Heterojunction Bipolar Transistor[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(Z1):391-393.
Authors:Cai Daomin  Li Xianjie  Zhao Yonglin  Liu Tiao  Lin Tao  Jiang Li  Ma Xiaoyu
Abstract:
Keywords:
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