| PDSOI CMOS SRAM单元临界电荷的确定 |
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| 引用本文： | 郭天雷, 赵发展, 韩郑生, 海潮和,. PDSOI CMOS SRAM单元临界电荷的确定[J]. 电子器件, 2007, 30(4): 1133-1136 |
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| 作者姓名： | 郭天雷 赵发展 韩郑生 海潮和 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029;中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 摘 要： | PDSOI CMOS SRAM单元的临界电荷(Critical Charge)是判断SRAM单元发生单粒子翻转效应的依据.利用针对1.2μm抗辐照工艺提取的PDSOI MOSFET模型参数,通过HSPICE对SRAM 6T存储单元的临界电荷进行了模拟,指出了电源电压及SOI MOEFET寄生三极管静态增益β对存储单元临界电荷的影响,并提出了在对PDSOI CMOS SRAM进行单粒子辐照实验中,电源电压的最恶劣偏置状态应为电路的最高工作电压.
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| 关 键 词： | 临界电荷 单粒子翻转 PDSOI 寄生三极管 SRAM |
| 文章编号： | 1005-9490（2007）04-1133-04 |
| 修稿时间： | 2006-06-27 |
Critical Charge Definition for PDSOI CMOS SRAM |
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| GUO Tian-lei,ZHAO Fa-zhan,HAN Zheng-sheng,HAI Chao-he. Critical Charge Definition for PDSOI CMOS SRAM[J]. Journal of Electron Devices, 2007, 30(4): 1133-1136 |
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| Authors: | GUO Tian-lei ZHAO Fa-zhan HAN Zheng-sheng HAI Chao-he |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics , Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Critical Charge SEU PDSOI Parasitic Bipolar Transistor SRAM |
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