| 静电损伤及其防护措施 |
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| 引用本文： | 赵洪山,张绵,王云生.静电损伤及其防护措施[J].微纳电子技术,1992(2). |
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| 作者姓名： | 赵洪山 张绵 王云生 |
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| 作者单位： | 机电部第13研究所，机电部第13研究所，机电部第13研究所 石家庄 050051，石家庄 050051，石家庄 050051 |
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| 摘 要： | 本文提出了轻微静电损伤和严重静电损伤的概念,简述了静电放电模型,指出了提高器件抗静电放电能力的对策。
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| 关 键 词： | 静电放电 砷化镓 半导体器件 |
Electrostatic Discharge Models and Related Protection |
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| Zhao Hongshan,Zhang Mian,Wang Yunsheng.Electrostatic Discharge Models and Related Protection[J].Micronanoelectronic Technology,1992(2). |
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| Authors: | Zhao Hongshan Zhang Mian Wang Yunsheng |
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| Abstract: | The concept of light electrostatic discharge damage and serious electrostatic discharge damage is presented in this paper. Then electrostatic discharge (ESD) models are discribed Finally, the way to improve electrostatic discharge-resistance of devices is pointed out. |
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| Keywords: | Electrostatic discharge (ESD) GaAs Semiconductor device |
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