| 吸收层与倍增层分离的4H-SiC雪崩光电探测器 |
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| 引用本文： | 朱会丽,陈厦平,吴正云.吸收层与倍增层分离的4H-SiC雪崩光电探测器[J].半导体学报,2007,28(2):284-288. |
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| 作者姓名： | 朱会丽 陈厦平 吴正云 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理系，361005 厦门;厦门大学物理系，361005 厦门;厦门大学物理系，361005 厦门;厦门大学微机电中心，361005 厦门 |
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| 基金项目： | 福建省厦门市科技计划项目 |
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| 摘 要： | 设计和制备了吸收层和倍增层分开的4H-SiC穿通型雪崩紫外光电探测器.设计器件的倍增层和吸收层厚度分别为0.25和1μm.采用multiple junction termination extension(MJTE)方法减少器件的电流集边效应和器件表面电场.对器件的暗电流、光电流和光谱响应进行了测量.器件在55V的低击穿电压下获得了一个高的增益(＞104);穿通前器件暗电流约为10pA数量级;0V偏压下器件光谱响应的紫外可见比大于103.光谱响应的峰值波长随反向偏压的增大而向短波方向移动,在击穿电压附近光谱响应的峰值波长移到210nm,此波长远远小于在0V时的响应峰值.结果显示器件在紫外光探测中具有优良的性能.
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| 关 键 词： | 4H-SiC 紫外光 雪崩光电探测器 吸收层 增层 分离 雪崩光电探测器 Photodetector Avalanche Multiplication 性能 紫外光探测 显示器件 结果 响应峰值 峰值波长 移动 波方向 反向偏压 紫外可见 增益 击穿电压 测量 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)02-0284-05 |
| 修稿时间： | 07 26 2006 12:00AM |
Separate Absorption and Multiplication 4H-SiC UltravioletAvalanche Photodetector |
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| Zhu Huili,Chen Xiaping and Wu Zhengyun.Separate Absorption and Multiplication 4H-SiC UltravioletAvalanche Photodetector[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(2):284-288. |
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| Authors: | Zhu Huili Chen Xiaping and Wu Zhengyun |
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| Affiliation: | Department of Physics,Xiamen University,Xiamen 361005,China;Department of Physics,Xiamen University,Xiamen 361005,China;Department of Physics,Xiamen University,Xiamen 361005,China;MEMS Center,Xiamen University,Xiamen 361005,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | 4H-SiC ultraviolet avalanche photodetector |
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