|
|||||
|
|
| SiGe HBT的脉冲中子及γ辐射效应 | |
| 引用本文： | 刘书焕,林东生,郭晓强,刘红兵,江新标,朱广宁,李达,王祖军,陈伟,张伟,周辉,邵贝贝,李君利.SiGe HBT的脉冲中子及γ辐射效应[J].半导体学报,2007,28(1). |
| 作者姓名： | 刘书焕 林东生 郭晓强 刘红兵 江新标 朱广宁 李达 王祖军 陈伟 张伟 周辉 邵贝贝 李君利 |
| 作者单位： | 1. 清华大学工程物理系,北京,100084;西北核技术研究所,西安,710613 2. 西北核技术研究所,西安,710613 3. 中国电子科技集团第13研究所,石家庄,050051 4. 清华大学微电子研究所,北京,100084 5. 清华大学工程物理系,北京,100084 |
| 基金项目： | 超高速专用集成电路重点实验室基金，国家自然科学基金 |
| 摘 要： | 测量了反应堆脉冲中子及γ辐照SiGe HBT典型电参数变化.在反应堆1×1013cm-2的脉冲中子注量和256.85Gy(Si)γ总剂量辐照后,SiGe HBT静态共射极直流增益减小了20%.辐照后基极电流、结漏电流增大,集电极电流、击穿电压减小.特征截止频率fT基本不变,fmax略有减小.初步分析了SiGe HBT反应堆脉冲中子及γ辐射的损伤机理. |
| 关 键 词： | SiGeHBT 辐射效应 反应堆 |
Experimental Study on Pulse Neutron and Gamma Ray Irradiation Effects on SiGe HBT |
|
| Liu Shuhuan,Lin Dongsheng,Guo Xiaoqiang,Liu Hongbing,Jiang Xinbiao,Zhu Guangning,Li Da,Wang Zujun,Chen Wei,Zhang Wei,Zhou Hui,Shao Beibei,Li Junli.Experimental Study on Pulse Neutron and Gamma Ray Irradiation Effects on SiGe HBT[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(1). | |
| Authors: | Liu Shuhuan Lin Dongsheng Guo Xiaoqiang Liu Hongbing Jiang Xinbiao Zhu Guangning Li Da Wang Zujun Chen Wei Zhang Wei Zhou Hui Shao Beibei Li Junli |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载全文 | |
