| 单晶硅上电沉积Ni-P非晶薄膜及其表征 |
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| 引用本文： | 张国庆,姚素薇,郭鹤桐,何菲,龚正烈.单晶硅上电沉积Ni-P非晶薄膜及其表征[J].过程工程学报,1997(2). |
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| 作者姓名： | 张国庆 姚素薇 郭鹤桐 何菲 龚正烈 |
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| 作者单位： | 天津大学，天津理工学院 |
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| 摘 要： | 采用控制电位沉积法在ｐ－Ｓｉ晶面上制备了Ｎｉ－Ｐ非晶薄膜．并对其结构、组成用ＸＲＤ，ＤＳＣ，ＸＰＳ进行了表征．结果表明，Ｎｉ－Ｐ合金在沉积前存在一个诱导期，合金由活性不同的两种组份构成，改变阴极电位对合金组成、结构影响不大，所制备的薄膜含磷量约为１６．２８％，具有非晶态结构
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| 关 键 词： | 硅，Ni－P合金，电沉积，非晶 |
ELECTROPLATING AND CHARACTERIZATION OF AMORPHOUS NICKEL PHOSPHORUS FILM ON SINGLE CRYSTAL SILICON |
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| ZHANG Guoqing YAO Suwei GUO Hetong He Fei,GONG Zhenglie.ELECTROPLATING AND CHARACTERIZATION OF AMORPHOUS NICKEL PHOSPHORUS FILM ON SINGLE CRYSTAL SILICON[J].Chinese Journal of Process Engineering,1997(2). |
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| Authors: | ZHANG Guoqing YAO Suwei GUO Hetong He Fei GONG Zhenglie |
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