| 应用铟源的反应蒸发制备In2O3透明导电膜 |
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| 引用本文： | 张曙,罗新.应用铟源的反应蒸发制备In2O3透明导电膜[J].无机材料学报,1996,11(3):510-514. |
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| 作者姓名： | 张曙 罗新 |
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| 作者单位： | 云南大学物理系 |
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| 摘 要： | 本工作说明，在低压氧气氛中。应用铟源的反应蒸发很容易淀积高质量的Ｉｎ２Ｏ３透明导电膜．旦然没有使用锡杂质，但所得膜的性能可以和最好的掺锡的Ｉｎ２Ｏ３膜相比．膜电阻率达２～３×１０￣４Ω·ｃｍ，可见光透过率超过９０％，并且膜生长速率高达２１９／ｍｉｎ．文章对成膜过程作了分析，报道了膜的最佳淀积条件，对由于偏离最佳淀积参数而导致的异常膜的形成机制也进行了讨论．
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| 关 键 词： | 氧化铟 导电薄膜 蒸发 半导体薄膜 |
Preparation of Transparent Conductive In_2O_3 Films by Reactive Evaporation from an Indium Source |
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| Zhang Shu,Luo Xin,Wang Qiaomin.Preparation of Transparent Conductive In_2O_3 Films by Reactive Evaporation from an Indium Source[J].Journal of Inorganic Materials,1996,11(3):510-514. |
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| Authors: | Zhang Shu Luo Xin Wang Qiaomin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | In_2O_3 films deposition conditions abnormal films formation mechanism |
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